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東芝推出新一代600V平面MOSFET系列,結合高效率及低雜訊等特色

 2018-02-07

 

東芝電子元件及儲存裝置株式會社今日(1月17日)宣布推出「第九代π-MOS」,全新600V平面式MOSFET系列,量產出貨於即日起啟動。

第九代π-MOS系列採用最佳化的晶片設計,與現有的第七代系列相比,其EMI雜訊峰值低5dB[1],但同時又保持了相同水準效率。它提供更大的設計自由度進而助於減少設計的工作量。另外,此系列具備相同的額定雪崩電流和額定直流電流,可輕鬆取代現有的MOSFET。

東芝為擴大第九代π-MOS系列之產品陣容,往後將陸續推出更多500V、 600V和650V元件,提供客戶更多產品選擇。

 

應用方面

-         筆電AC變壓器及遊戲機充電器中的小型電源供應器

-         照明電源供應器

 

產品特點

  1. 兼具高效率及低雜訊
  2. 額定雪崩電流和直流電流相等

 

主要規格

產品型號

封裝

絕對最大額定值

RDS(ON)
MAX (Ω)
at VGS=10V

Qg
Typ.
(nC)

Ciss
Typ.
(pF)

現有(π-MOS VII 系列)
產品型號

VDSS (V)

ID (A)

TK650A60F

TO-220SIS

600

11

0.65

34

1320

TK11A60D

TK750A60F

TO-220SIS

600

10

0.75

30

1130

TK10A60D

TK1K2A60F

TO-220SIS

600

6

1.2

20.5

740

TK6A60D (1.25Ω)

TK1K9A60F

TO-220SIS

600

3.7

1.9

14

490

TK4A60DB (2.0Ω)

 

註:
[1]:TK10A60D與TK750A60F相比較(65W筆記型電腦變壓器在200MHz區域內)。

 

 

 

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