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意法半導體(ST)完整全橋系統封裝內置MOSFET、柵驅動器和保護技術以節省空間,簡化設計,精簡組裝

 2018-01-10

意法半導體的 PWD13F60系統封裝(SiP)產品在一個13mm x 11mm的封裝內集成一個完整的600V/8A單相MOSFET全橋電路,能夠為工業電機驅控制器、燈具鎮流器、電源、功率轉換器和逆變器廠家節省物料成本和電路板空間。

 

不僅比採用分立器件設計的類似全橋電路節省電路板空間60%,PWD13F60還能提升最終應用的功率密度。市場上在售的全橋模組通常是雙FET半橋或六顆FET三相產品,而PWD13F60則集成四顆功率MOSFET,是一個能效特別高的替代方案。與這些產品不同,只用一個PWD13F60即可完成一個單相全橋設計,這讓內部MOSFET管沒有一個被閒置。新全橋模組可靈活地配置成一個全橋或兩個半橋。

 

利用意法半導體的高壓 BCD6s-Offline製造工藝,PWD13F60集成了功率 MOSFET柵驅動器和上橋臂驅動自舉二極體,這樣設計的好處是簡化電路板設計,精簡組裝過程,節省外部元器件。柵驅動器經過優化改進,取得了高開關可靠性和低EMI(電磁干擾)。該系統封裝還有交叉導通防護和欠壓鎖保護功能,有助於進一步降低占位元面積,同時確保系統安全。

 

PWD13F60的其它特性包括低至6.5V的寬工作電壓,配置靈活性和設計簡易性得到最大限度提升。此外,新系統封裝輸入引腳還接受 3.3V-15V邏輯信號,連接微控制器(MCU)、數文書處理器(DSP)或霍爾感測器十分容易。

 

PWD13F60即日上市,採用高散熱效率的多基島VFQFPN封裝。

 

產品詳情訪問www.st.com/pwd13f60-pr

 

編者注:

按照新摩爾定律(MtM)多元化設想,意法半導體正在推動其BCD (集成雙極-CMOS-DMOS)工藝向高電壓、高功率和高密度三個方向發展。BCD6s-Offline是一項0.32µm高壓製造工藝,另外兩個高壓技術 是 BCD6s-SOI 和 0.16µm BCD8s-SOI,而BCD8sP和 0.11µm BCD9s是高密度製造工藝。憑藉其BCD製造技術組合以及系統封裝(SiP)技術專長(另一項MtM技術,在同一個封裝內疊放或平鋪多顆裸片),意法半導體有能力提升產品性能,縮短新產品研發週期,按照智慧功率應用的需求提供特定的功能。高度優化、尺寸緊湊的PWD13F60是意法半導體利用其在 MtM技術上的領先優勢開發出來的最新產品。

 

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